Ra trên sàn wafer, bạn biết một chu trình soft bake mà lệch chỉ 0,2°C cũng có thể làm thay đổi kích thước quan trọng, và một chu trình hard bake quá nóng ở mép wafer có thể để lại cặn và tạp chất. Chúng tôi đã thiết kế đèn hồng ngoại cho bàn làm việc trong phòng sạch nhằm loại bỏ biến thiên này khỏi phương trình.
Điều quan trọng bên trong
Thiết bị chạy bằng bộ phát quartz gần hồng ngoại (NIR), làm nóng nhanh và có hướng với độ trễ nhiệt tối thiểu. Trên vùng chiếu sáng, chúng tôi duy trì đồng đều nhiệt ở mức ±0,1°C trên toàn wafer, và hệ thống điều khiển vòng kín ổn định tại điểm đặt trong vài giây. Vỏ thiết bị tương thích với phòng sạch lớp 1–100, với các mối nối được bịt kín, vật liệu ít chịu hiện tượng giải phóng khí và luồng khí bên trong giúp hạn chế phát sinh hạt xuống mức đơn vị trong một feet khối. Hiệu suất đầu ra ổn định trên 5.000+ giờ hoạt động, và tính lặp lại giữa các chu trình được đảm bảo.
Trong công nghệ khắc ảnh (lithography), cần một chu trình soft bake nhất quán để kéo dung môi ra sạch sẽ, và một chu trình hard bake định hình photoresist mà không gây sai lệch. Đèn này cung cấp cả hai, với kiểm soát chặt chẽ ngân sách nhiệt. Kết quả là độ đồng đều kích thước quan trọng (CD) được cải thiện và giảm bead mép.
Ngoài ra, thời gian phản hồi nhanh giúp rút ngắn thời gian bake, qua đó giảm tiêu thụ năng lượng và tăng năng suất. Thiết bị cũng tạo thêm biên độ quy trình, đặc biệt với lớp resist mỏng và xếp lớp đa lớp. Ít lỗi phế phẩm hơn. Giảm tái xử lý.
Một vài lưu ý thực tế. Đèn cần nguồn cấp điện riêng biệt có lọc, và phải được gắn với khoảng cách đủ để tránh bóng che hoặc quá nhiệt cục bộ. Nhiệt độ bề mặt có thể tăng vượt mức an toàn khi vận hành, do đó cần bố trí bộ bảo vệ và khóa công tắc phù hợp. Để có kết quả tối ưu, hãy chọn bước sóng bộ phát phù hợp với lớp resist và hiệu chuẩn nhiệt độ tại mặt phẳng wafer, không phải tại vỏ đèn.