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		<title>(SiC) on Patio Infrared Heating Comfort</title>
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				<title>Siliziumkarbid (SiC) Ofenlampe</title>
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				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://patio-ir-comfort.com/images/c4487c91a5d0bd93963bf8b3a19ba704.png&#34; alt=&#34;Siliziumkarbid (SiC) Ofenlampe&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Bei der Trocknung der Wafer ist die thermische Drift keine Theorie – sie ist ein Problem, das vermieden werden muss. Die Trocknung der Wafer, das Aushärten des Photoresists sowie das Aushärten des Encapsulants hängen alle von einer genauen Temperaturkontrolle ab. Wenn die vorgegebene Temperatur nicht eingehalten wird, verschlechtern sich die Kontrollmöglichkeiten bezüglich der Abmessungen der Wafer, die Haftung zwischen den Materialien nimmt ab – und die Wafer weisen Defekte auf.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Was wirklich wichtig ist&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Wir verwenden eine SiC-Heizlampe, die schnelles, reines Infrarotlicht mit präziser Temperaturregulierung liefert. Die Emitter sind so konstruiert, dass sie schnell auf die gewünschte Temperatur kommen und anschließend einen stabilen Zustand beibehalten. Dadurch kann die Temperaturgenauigkeit auf Hundertstel eines Grades geprüft werden. Die Anlage ist für Reinraumbedingungen geeignet: Es werden Materialien verwendet, die wenig Gase abgeben, der Weg der Strahlung wird kontrolliert, und die Konstruktion eignet sich für Umgebungen der Klassen 1–100. In der Praxis bedeutet das wiederholbare Prozesse bei gleichzeitiger Konsistenz beim Aushärten der Materialien – ohne zusätzliches Risiko von Verunreinigungen durch Luftpartikel.&lt;/p&gt;</description>
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